gate last技術
2010年7月22日—不管使用Gate-first和Gate-last哪一种工艺,制造出的high-k绝缘层对提升晶体管的性能均有重大的意义。high-k技术不仅能够大幅减小栅极的漏电量,而且由于 ...,2015年11月4日—Gate-last在功耗控制能力上比較優秀,但是製程工序比較複雜,但複雜的工序...
台积电:28nm制程节点将转向Gate-last工艺
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Gate-last是用于制作金属栅极结构的一种工艺技术,这种技术的特点是在对硅片进行漏/源区离子注入操作以及随后的高温退火工步完成之后再形成金属栅极;与此相对的是Gate- ...
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